Bank
Bank (内存库) 在内存行业里,Bank至少有三种意思,所以一定要注意。 1、在SDRAM内存模组上,"bank 数"表示该内存的物理存储体的数量。(等同于"行"/Row) 2、Bank还表示一个SDRAM设备内部的逻辑存储库的数量。(现在通常是4个bank)。 3、它还表示DIMM 或 SIMM连接插槽或插槽组,例如bank 1 或 bank A。这里的BANK是内存插槽的计算单位(也叫内存库),它是电脑系统与内存之间数据总线的基本工作单位。只有插满一个BANK,电脑才可以正常开机。举个例子,奔腾系列的主板上,1个168线槽为一个BANK,而2个72线槽才能构成一个BANK,所以72线内存必须成对上。原因是,168线内存的数据宽度是64位,而72线内存是32位的。主板上的BANK编号从BANK0开始,必须插满BANK0才能开机,BANK1以后的插槽留给日后升级扩充内存用,称做内存扩充槽。
Bank Schema
Bank Schema(存储体规划),一种图解内存配置的方法。存储体规划由若干用来表示电脑主板上的内存插槽的行或列组成。行表示独立的插槽;列代表bank数。
BEDO
BEDO (Burst EDO RAM) -突发模式EDO随机存储器,BEDO内存能在一个脉冲下处理四个内存地址。形象地说,它一次可以传输一批数据。总线的速度范围从50MHz 到 66MHz (与此相比,EDO内存速度是33MHz,FPM内存的速度是25MHz)。
CAS
CAS (Column Address Strobe)-列地址选通脉冲,在内存的寻址中,锁定数据地址需要提供行地址和列地址,行地址的选通由RAS控制,列地址的选通由CAS决定。
CAS Latency
列地址选通脉冲时间延迟,CL反应时间是衡定内存的另一个标志。CL是CAS Latency的缩写,指的是内存存取数据所需的延迟时间,简单的说,就是内存接到CPU的指令后的反应速度。一般的参数值是2和3两种。数字越小,代表反应所需的时间越短。在早期的PC133内存标准中,这个数值规定为3,而在Intel重新制订的新规范中,强制要求CL的反应时间必须为2,这样在一定程度上,对于内存厂商的芯片及PCB的组装工艺要求相对较高,同时也保证了更优秀的品质。因此在选购品牌内存时,这是一个不可不察的因素。
Direct Rambus
Direct Rambus-直接总线式随机存储器,Rambus 技术的第三代产品,它为高性能的PC机提供了一种全新的DRAM 结构。现在的SDRAM在64-bit的宽带总线上速度只有100MHz;与此相对照,Direct Rambus在16-bit的窄通道上,其数据传输速度可高达800MHz。
Direct RDRAM
Direct RDRAM(直接总线式动态随机存储器),该设备的控制线和数据线分开,带有16位接口、带宽高达800 MHz,效率大于90% 。一条Direct RDRAM 使用两个8-bit 通道、工作电压2.5V ,数据传输率可达到1.6 GBps 。它采用一个分离的8位总线(用于地址和控制信号),并拓宽了8到16位或9到18位数据通道,时钟达到400 MHz ,从而在每个针(pin)800Mbps的情况下(共计1.6 GBS)使可用数据带宽最大化。
EDO DRAM
EDO DRAM(Extended Data Output RAM),扩展数据输出内存。是Micron公司的专利技术。有72线和168线之分、5V电压、带宽32bit、基本速度40ns以上。传统的DRAM 和FPM DRAM在存取每一bit数据时必须输出行地址和列地址并使其稳定一段时间后,然后才能读写有效的数据,而下一个bit的地址必须等待这次读写操作完成才能输出。EDO DRAM不必等待资料的读写操作是否完成,只要规定的有效时间一到就可以准备输出下一个地址,由此缩短了存取时间,效率比FPM DRAM高20%—30%。具有较高的性/价比,因为它的存取速度比FPM DRAM快15%,而价格才高出5%。
PC100
JEDEC 和Intel制定的一种SDRAM内存颗粒(或内存条)技术标准。其中100是指该内存能工作在前端总线(FSB)100MHz的系统中。当初, PC100规范是为配合INTEL推出BX芯片组制定的准则,其规范条款很多,但主要有以下几点: 1、TCK(CLOCK、CYCLE、TIME)内存时钟周期,在100MHZ外频工作时值为10ns; 2、TAC(ACCESS TIME FRONCLK)存取时间小于6ns; 3、PCB必须为六层板,可以滤掉杂波; 4、内存上必须有SPD,SPD一般由内存模组制造商写入,设定内存工作参数。
PC133
IBM 和Reliance电子公司制定的一种内存芯片(或内存条)技术标准,其中的133指的是该内存工作频率可达133MHz。严格地说,PC133和 PC100内存在制造工艺上没有什么太大的不同,区别只是在制造PC133内存时多了一道"筛选"工序,把内存颗粒中外频超过133 MHz的挑选出来,焊接成高档一些的内存。
偶校验
Even Parity-偶校验,一种来检测数据完整性的方法。与奇校验相反,8个数据位与校验位加起来有偶数个1。具体参考Odd Parity奇校验。
奇校验
Odd Parity(奇校验),校核数据完整性的一种方法,一个字节的8个数据位与校验位(parity bit )加起来之和有奇数个1。校验线路在收到数后,通过发生器在校验位填上0或1,以保证和是奇数个1。因此,校验位是0时,数据位中应该有奇数个1;而校验位是1时,数据位应该有偶数个1。如果读取数据时发现与此规则不符,CPU会下令重新传输数据。
虚拟信道内存
NEC 公司开发的一种改良的DRAM内存,数据传输率为133MHz。其原理是在现在的DRAM IC 中加入一个虚拟的SRAM作为Cache,以此来维护数据存取的稳定性。 VCM 使内存的不同区块(每块都有自己的缓存)能够分别和控制器对话。如此一来,系统的任务可以分配到它们各自的虚拟信道里面。同时运行的多个任务互相之间不会争用缓存,所以系统的整体效率就提高了。